Контрольная Спецглавы физики, вариант 1, номер: 221465

"Вариант № 1
1. Частица находится в одномерной бесконечно глубокой потенциальной яме шириной L на третьем энергетическом уровне. Оценить вероятность нахождения частицы в области, ограниченной координатами x1 = L/4 и x2 = L/2. Построить график зависимости |ψn(x)|2 для n = 3 и указать рассматриваемый интервал на чертеже.
2. Определить температуру, при которой вероятность нахождения электрона на уровне с энергией на 0,9 эВ выше уровня Ферми равна 2%.
3. Для образца кремния Si, собственная концентрация носителей заряда которого при температуре 300 K равна 7∙1015 м–3, рассчитать собственную электропроводность и скорость дрейфа электронов и дырок в электрическом поле с напряжённостью 300 B/м.
4. Пластинка из полупроводника p-типа шириной 1 см и длиной 3 см помещена в однородное магнитное поле с индукцией 0,5 Тл, перпендикулярное её поверхности. К концам пластинки (вдоль ребра с размером 3 см) приложено постоянное напряжение 180 В. При этом поперечная холловская разность потенциалов оказалась равной 5 мВ. Определить концентрацию и подвижность дырок в данном полупроводнике, если его удельное сопротивление равно 0,03 Ом∙м.
5. Имеется фотоэлемент из фосфата галлия (GaP). Можно ли использовать этот фотоэлемент для регистрации инфракрасного излучения с длиной волны 4 мкм? Почему? Подберите по таблице элемент, который можно было бы использовать для этой цели.
"