Контрольная Контрольная работа по физике (задачи 1.10,2.1,3.3), номер: 196244

"1.10-Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике, находящемся под внешним воздействием, ? = 10-7 с. Определить-интервал времени t после выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в 5 раз
2.1-Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД=1016 см-3 и NA=1015 см-3, T=300 K. Определить контактную разность потенциалов ?ко и ширину перехода ?0 в равновесном состоянии (u=0), а также
отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и
р-областях ?n/?p.
3.3-Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0, коэффициент передачи тока базы ?. Заданы напряжение питания EК и нагрузочное сопротивление RК. Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uкэ=f(Uбэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению напряжения Uкэ=0…EК. В рабочей точке, соответствующей Uкэ = EК / 2, рассчитать коэффициенты усиления по току KI и по напряжению KU.
Параметры транзистора:
Сквозной тепловой ток I0 = 10-13 А. Коэффициент передачи тока базы ? = 90. Питающее напряжение Еп = 9,0 В. Нагрузочное сопротивление Rк = 1 кОм.
"