Контрольная Контрольная работа по физике (3 задачи 1.2, 2.2, 3.4), номер: 196247

"1.2. В полупроводнике n-типа уровень Ферми ЕFn расположен на 0,25 эВ выше середины запрещенной зоны Ei , Т = 300К. Определит концентрации основных и неосновных носителей заряда nn и pn.
По условию варианта 2 полупроводник – кремний GaAs.
2.2. Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны ?n=1 Ом?см и ?p=10 Ом?см, T=300 K.
Определить контактную разность потенциалов ?к и ширину перехода ? при подаче на переход обратного напряжения u=5 В.
Полупроводник – Ge.
Подвижность электронов ?n= 3900см2 /В?c,
Подвижность дырок ?р=1900см2 /В?c,
Относительная диэлектрическая проницаемость ?=13,1.
3.4. Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжения между электродами Uзи и Uси.
Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать ток стока iс. Рассчитать ток стока при увеличении напряжения Uзи на 0,4 В.
Пороговое напряжение Uпор=2 В;
Напряжения между электродами UСи=10В;
Напряжения между электродами Uзи=4,2В;
Удельная крутизна b=2мА/В2.
"