Контрольная Контрольная работа по электронике, вариант 11 (4 задачи), номер: 196237

"Исходные данные для расчетного задания
Вар-т Материал п/п ТемператураT, K Концентрация примесей Площадь перехода S,


11 Ge 220 11?1021 20?1020 1
Таблица 2.
Основные параметры
полупроводниковых материалов.

Материал полупроводника Si Ge GaAs
Ширина запрещенной зоны при

1.17 0.744 1.519
Параметры для
определения ширины запрещенной зоны
4.73?10-4



636 235 204
Параметры для определения подвижности носителей
2.42 1.66 1.0

2.2 2.33 2.1
Подвижности носителей заряда при

0.15 0.39 0.85

0.06 0.19 0.04
Эффективные массы носителей заряда
1.08 0.56 0.068

0.56 0.35 0.45
Диэлектрическая проницаемость
11.8 16.0 13.2
Время жизни
носителейзаряда


Значения физических постоянных:
Заряд электрона
Масса электрона
Постоянная Больцмана
Постоянная Планка
Диэлектрическая постоянная

Задача 1.
Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
Задача 2.

Для полупроводника p-типа с концентрацией акцепторных примесей определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
Задача 3.

Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
Задача 4.

Считая, что из полупроводников p- и n-типа изготовлен p-n-переход, определить контактную разность потенциалов; ширину обедненных областей и ширину области пространственного заряда; величину заряда на единицу площади; величину барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении . Построить график зависимости барьерной емкости от приложенного напряжения (вольт-фарадную характеристику p-n-перехода).
"