Контрольная Физика, 2 задачи, 9 вариант, номер: 250091

"Задача №1 (9 вариант)

По заданному при комнатной температуре значению тока I0=9*10-6 в идеальном несимметричном p-n - переходе, площадью S=0,1 см2.
Определить:
1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.
2. Тип и концентрацию неосновных носителей заряда в базе.
3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.
4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесенной в область эмиттера.
5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур:
t1 – комнатная, t2 = t1 + Δt Δt = 16
6. L – ширину обедненной области или p – n – перехода эмиттер – база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p – n – переходов. Изобразить заданный p – n – переход.
7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, так же для всей системы в состоянии равновесия.
8. Приложить к заданному p – n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1. Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ.
9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении.
10. Рассчитать вольт – фарадные характеристики для барьерной Сбар и диффузионной Сдиф емкостей.
11. Рассчитать R0 сопротивление постоянному току и rдиф переменному току на прямой ветви в точке, соответствующей Iпр = 10 mA, и обратной ветви в точке, соответствующей U =- 1 В. По результатам расчета сделать вывод о самом главном свойстве p – n – перехода.
12. Начертить мало-сигнальную электрическую модель заданного p – n – перехода для двух точек.

Задача №2 (9 вариант)
Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки U_отс =0,5 В. Удельная крутизна b_1=0,1 мА/В^2 .
Определить:
1. Установить тип канала (p или n)
2. Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3. Рассчитать и построить на одном графике стоко-затворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b_1=0,18 мА/В^2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4. Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.
5. Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1).
"