Контрольная Физические основы электроники, вариант 10, номер: 208677

"Вариант 10
Задача 1.11
Полупроводник находится под стационарным внешним воздействием, выражающемся в инжекции в него электронов в сечении Xp . Диффузионная длина электронов Ln = 0,01 см.
Определить относительное уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии х = 0,08 см от их введения .
Задача 2.3
Контактная разность потенциалов в резком p-n-переходе ?ко=0,7 В. Удельная электрическая проводимость р-области ?р=1 См/см, T=300 K. Определить ширину перехода ?0 и отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и р-областях ?n/?p.
Полупроводник – Ge.
Задача 3.4
Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор=-8В. Заданы напряжения между электродами Uзи=-4В и Uси=8В. Определить в каком режиме работает транзистор. Рассчитать ток стока iс. Рассчитать ток стока при увеличении напряжения Uзи на 0,4 В.
"