Контрольная Электроника, варианты 5,3,6, номер: 208553

"Вариант 5
1. Определите удельную проводимость чистого германия при температуре Т = 300 К, если при этой температуре ионизован один атом из каждых 2.109атомов кристалла.

2. Тепловая мощность, рассеиваемая диодом, определяется соотношением , где - температура окружающей среды, - тепловое сопротивление диода. Считая, что условием теплового пробоя диода является соотношение , где - выделяемая, а - отводимая в диоде мощности, покажите, что условием устойчивой работы диода будет выполнение условия , где - постоянная Больцмана, - ширина запрещенной зоны материала диода, - величины обратного тока и напряжения на диоде.

3. Объясните механизм токораспределения в биполярном транзисторе. Укажите составляющие базового тока транзистора. Что такое коэффициенты инжекции, рекомбинации и переноса?

Вариант 3
1. Согласно теории рекомбинации через локальные уровни в запрещенной зоне (теория Шокли - Рида - Холла) скорость рекомбинации равна:
где ?n и ?p - сечения захвата электрона и дырки центрами рекомбинации; Vt - тепловая скорость носителей; Nt - концентрация центров рекомбинации; ni - собственная концентрация носителей; Et - энергетический уровень центра рекомбинации; Ei - уровень Ферми в собственном полупроводнике.
Полагая, что сечения захвата электрона и дырки центрами рекомбинации равны ?n = ?p, определите, при каком соотношении энергетических уровней Et и Ei скорость рекомбинации через центры максимальна.

2. При температуре Т = 300 К высота потенциального барьера в кремниевом диоде равна 0,6 В. При какой температуре высота потенциального барьера станет равной 0,7 В. Считать, что в указанном интервале температур донорные и акцепторные примеси ионизированы полностью. Температурной зависимостью эффективной плотности состояний электронов и дырок пренебречь.

3. Нарисуйте и объясните зонные энергетические диаграммы для диффузионного (дрейфового) n-p-n транзистора, работающего в режиме двойной инжекции (насыщения).

Вариант 6
1. Покажите, что концентрация электронов в полупроводнике р-типа связана с концентрациями примесей Nа и собственных носителей ni соотношением:

2. Найдите аналитическую зависимость напряженности электрического поля в симметричном p-n переходе с линейным распределением примеси Nd - Na = ax от координаты. Считать, что напряженность поля на границах p-n перехода при x1 = Wpn/2 и x2 = Wpn/2 равна нулю. Постройте график полученной зависимости.

3. Изобразите и объясните зависимость коэффициентов инжекции ?, переноса ? и передачи ? от тока эмиттера.

"