Контрольная Электроника вариант 2, номер: 52353

Задание 1…………………………………………………………………………3
Задание 1.1……1.1 Чем определяется электропроводность примесного полупроводника при температуре ниже и выше критической? Укажите диапазон рабочих температур для германия и кремния; поясните, почему у кремния он выше, чем у германия.………………………………………………………………….3
Задание 1.2…. Какие недостатки точечных диодов устраняются в микросплавных диодах? Почему в справочниках для высокочастотных диодов приводится емкость между выводами?…………………………………………………………………….4
Задание 2……..………………………………………………………….……….4
Задание 2.1…. Изобразите вольтамперную характеристику динистора; отметьте участки характеристики, соответствующие открытому состоянию при-бора, закрытому и переходному. Укажите, какому включению каждого из трех переходов соответствует закрытое и открытое состояние прибора.…………………………………………………………………….4
Задание 2.2……. В каком МОП - транзисторе токопроводящий канал создается инверсным слоем? Изобразите стоко - затворные характеристики вы-бранного транзистора с указанием типа канала (Р или П); обозначьте на них величину порогового напряжения Uзп, указав физический смысл этой величины.………………………………………………………………….6
Задание 3…Биполярный транзистор МП 37 типа n-p-n включен по схеме с ОЭ.……………………………………………………………………....9
Задание 3.1.…Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источников питания; стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового коллекторного; обозначьте буквенно, какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.…………………………………………………………………....9
Задание 3.2…Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что UKЭ=5B, IБ=1200 МКА. Определите в РТ ток коллектора Iк, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Ркмах. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.………………………………………………………………….…9
Задание 3.3…Выполните необходимые построения и определите графически с нанесенной РТ значение параметра h21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).……………………………………………………………………10
Задание 3.4……. Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанеси-те РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h11Э, указав его наименование и размерность.…………………………………………………………………11
Задание 3.5…Определив графически параметры h11Э и h21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитические параметры h21Б и h11Б этого же транзистора.……………………………………………………………………11
Задание 3.6……Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП 37 , выпишите значения параметра Iкмах; поясните физический смысл этого параметра; укажите факторы, ограничивающие его значение.…………………………………………………………………12
Задание 4……Объясните отличие аналоговых интегральных схем от цифровых.………………………………………………………………… 12
Задание 4.1………………………………………………………………………12
Задание 4.2…. Дайте определение интегрального компаратора. Опишите область применения названного прибора. Приведите пример интегрального компаратора, выполненного в интегральном исполнении..…………………………………………………………………13
Задание 5…….Вычертите схемное изображение электронно-лучевой трубки с электростатической системой фокусировки и магнитной системой отклонения. Обозначьте все электроды, приведя их наименование, укажите кратко назначение каждого..………………………………………………………………….14
Литература………………………………………………………………………16