Контрольная Электроника вариант 2-3, номер: 52352

Задание 1…1.1.Укажите, как прямое включение p-n перехода сказывается на высоте потенциального барьера, сопротивлении и толщине запирающего слоя по сравнению с их значением в состоянии равновесия.………………………………………………………………………3
Задание 1.1……………………………………………………………………….3
Задание 1.2…. Назовите полупроводниковый диод, в котором начальный участок вольтамперной характеристики соответствует туннельному механизму передвижения носителей заряда. Изобразите характеристику этого прибора; обозначьте названный участок; укажите область применения прибора.…………………………………………………………………….4
Задание 2……..………………………………………………………….……….5
Задание 2.1…Какое включение переходов биполярного транзистора называется нормальным, какое инверсным? Какому режиму работы биполярного транзистора соответствует нормальное включение переходов?
--
…………………………………………………………………….5
Задание 2.2…. Почему сечение токопроводящего канала полевого транзистора управляющим p-n переходом не везде одинаково?
--
…………………………………………………………………….5
Задание 3……Биполярный транзистор МП 37 типа n-p-n включен по схеме с ОЭ.…………………………………………………………………....6
Задание 3.1.…. Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источников питания; стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового коллекторного; обозначьте буквенно, какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.…………………………………………………………………....7
Задание 3.2….Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что UKЭ=5B, IБ=1200 МКА. Опреде-лите в РТ ток коллектора Iк, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой Ркмах. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.………………………………………………………………….…7
Задание 3.3…Выполните необходимые построения и определите графически с нанесенной РТ значение параметра h21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).…………………………………………………………………….8
Задание 3.4…. Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанеси-те РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h11Э, указав его наименование и размерность.…………………………………………………………………….9
Задание 3.5…. Определив графически параметры h11Э и h21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитические параметры h21Б и h11Б этого же транзистора.…………………………………………………………………….9
Задание 3.6……. Ознакомившись с основными справочными данными транзистора МП 37 , выпишите значения параметра Iкмах; поясните физический смысл этого параметра; укажите факторы, ограничивающие его значение.…………………………………………………………………10
Задание 4……………………………………………………………………… 10
Задание 4.1……. Каково назначение аналоговых интегральных микросхем? Перечислите виды аналоговых ИМС.…………………………………………………………………10
Задание 4.2…. Объясните назначение интегральных аналоговых перемножителей. Назовите область применения этих микросхем, приведите примеры некоторых серий ИМС.……………………………………………………………………11
Задание 5……Вычертите схемное изображение электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с электростатической системой фокусировки и отклонения. Обозначьте все электроды, приведя их наименование, укажите кратко назначение каждого...………………………………………………………………….12
Литература………………………………………………………………………14