Контрольная Электроника 5, номер: 54556

Задание 11.1.Изобразите энергетическую диаграмму зон полупроводника. Покажи¬те на ней энергетический уровень донора. Сравните энергию иониза¬ции донора с шириной запрещенной зоны германия.…………………………………………………………………………3
Задание 1.1……………………………………………………………………….3
Задание 1.2….Перечислите основные параметры, характеризующие пригодность использования полупроводникового диода в импульсных схемах; укажите их физический смысл. Из каких соображений выбирается ма-териал для изготовления импульсных диодов?…………………………………………………………………….4
Задание 2……..………………………………………………………….……….8
Задание 2.1…. Почему толщина базы биполярного транзистора должна быть значи-тельно меньше диффузионной длины носителей, инжектируемых в нее? Чему при этом оказывается равным коллекторный ток?…………………………………………………………………….8
Задание 2.2…Что называется напряжением отсечки UM полевого транзистора с управляющим p-n переходом? Изобразите стоко-затворные харак-теристики названного транзистора с указанием типа канала (p или n), обозначьте на них указанное напряжение.…………………………………………………………………….9
Задание 3…Полевой транзистор КП 103 М с управляющим р-n переходом включен
по схеме с общим истоком.
……………………………………………………………………....10
Задание 3.1.По виду стоковых характеристик названного транзистора определите и укажите тип канала: p или n, индуцированный или встроенный. Изобразите схему с двумя источниками питания; обозначьте на схе¬ме входное напряжение; стрелкой на схеме покажите направление выходного стокового тока.……………………………………………………………………....11
Задание 3.2…. Приведите стоковые характеристики заданного транзистора. Нанеси-те рабочую точку (РТ), если известно, что U3И = 1 В, UСИ=7 В. Опреде-лив в РТ ток стока, рассчитайте мощность рассеивания на стоке, ука-зав ее размерность Сравните полученное значение мощности с до-пустимой Рктах. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.………………………………………………………………….…12
Задание 3.3…. Выполните необходимые построения и определите графически в на-несенной РТ значение параметров S и Ri, указав их наименование и размерность. Пользуясь полученными значениями S и Ri рассчитай¬те параметр μ аналитически по внутреннему уравнению; укажите на-именование параметра μ.

………………………………………………………………….…13
Задание 3.4Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КП 103 К, выпишите значения параметров С11, С224, C124, поясните их физический смысл, а также укажите какие свойства транзистора за-висят от величины емкостей.……………………………………………………………………….14
Задание 4…………………………………………………………………………15
Задание 4.1…1 Что такое аналоговые интегральные микросхемы? Каково их отличие от цифровых ИС?…………………………………………………………………….15
Задание 4.2…2 Дайте определение операционного усилителя ОУ. Опишите область применения ОУ. Приведите пример некоторых серий интегральных микросхем, на базе которых выполняются ОУ.…………………………………………………………………….16
Задание 5…Вычертите схемное изображение электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) с электростатической системой фокусировки и отклонения. Обозначьте все электроды, приведя их наименование, укажите кратко назначение каждого.…..…………………………………………………………………..17


Литература……………………………………………………………………….19