355266 работ
представлено на сайте

Контрольная Электроника (5 заданий), номер: 271973

Номер: 271973
Количество страниц: 33
Автор: marvel4
390 руб.
Купить эту работу
Не подошла
данная работа?
Вы можете заказать учебную работу
на любую интересующую вас тему
Заказать новую работу
essay cover Электроника (5 заданий) , Седьмой вариант
Задание 1.
1.1 Какие носители заряда являются основными и неосновными в примесном полупроводнике с трехвалентной ...

Автор:

Дата публикации:

Электроника (5 заданий)
logo
Седьмой вариант
Задание 1.
1.1 Какие носители заряда являются основными и неосновными в примесном полупроводнике с трехвалентной ...
logo
144010, Россия, Московская, Электросталь, ул.Ялагина, д. 15А
Телефон: +7 (926) 348-33-99

StudentEssay

buy КУПИТЬ ЭТУ РАБОТУ.
  • Содержание:
    Седьмой вариант
    Задание 1.
    1.1 Какие носители заряда являются основными и неосновными в примесном полупроводнике с трехвалентной примесью.
    1.2 Как рост температуры влияет на положение вольтамперной характеристики выпрямительного диода и его параметры? Объясните, дополните графиком.
    Задание 2.
    2.1 Почему система h – параметров называется гибридной? Приведите физический смысл всех h – параметров.

    2.2 Почему стоковые характеристики полевого транзистора со встроенным каналом строятся при положительном, и при отрицательном и при нулевом напряжении на затворе?
    Задание 3.
    Биполярный транзистор КТ 803А типа п-р-п включен по схеме с ОЭ.
    3.1 Изобразите схему включения транзистора с двумя источниками питания. Обозначьте на схеме полярность источника питания, стрелками на схеме покажите направление токов: эмиттерного, базового, коллекторного;
    обозначьте буквенно какой из названных токов транзистора входной, какой выходной.
    3.2 Приведите выходные характеристики заданного транзистора. Нанесите рабочую точку (РТ), если известно, что UКЭ=20В, IБ=100мА. Определите в РТ ток коллектора IК, рассчитайте мощность рассеивания на коллекторе, укажите ее размерность. Сравните полученное значение мощности с допустимой РКmax. Сделайте вывод о допустимости выбранного режима.
    3.3 Выполните необходимые построения и определите графически в нанесенной РТ значение параметров h21Э, указав его наименование и размерность (см. методические указания к заданию 3).
    3.4 Приведите входные характеристики заданного транзистора. Нанесите РТ и, выполнив необходимые построения, определите графически параметр h11Э, указав его наименование и размерность.
    3.5 Определив графически параметры h11Э и h21Э заданного транзистора, рассчитайте аналитически параметры h21Б и h11Б этого же транзистора.
    3.6 Ознакомившись с основными справочными данными транзистора КТ 803 А, выпишите значения параметра Rпер-охр, Rпер-кор; поясните их физический смысл.
    Задание 4.
    4.1 Поясните отличие полупроводниковых интегральных микросхем от гибридных. Кратко охарактеризуйте и те и другие.
    4.2 Назовите назначение интегральных аналоговых перемножителей.
    Укажите область их применения. Приведите пример некоторых серий, на безе которых выполняются интегральные аналоговые перемножители.
    4.3 Разработайте схему операционного усилителя согласно заданному варианту. Рассчитайте параметры разработанного ОУ. Исходные данные для расчета приведены в таблице 1 методических указаний к выполнению контрольной работы.
    Таблица 1
    Вариант Назначение схемы Условие выбора ОУ Данные для расчета элементов схемы
    7 Просуммировать сигнал U1 и 1/3 сигнала U2 с инверсией суммарного сигнала Fн = 25Гц Fв=0,8Мгц
    Uсм0 < 10мВ Rис1 = Rис2 = 2,1кОм Выполнить условие согласование входа схемы с источником 1
    4.2 Назовите назначение интегральных аналоговых перемножителей.
    Укажите область их применения. Приведите пример некоторых серий, на безе которых выполняются интегральные аналоговые перемножители.
    4.3. Операционный усилитель выбирают по верхней частоте заданного диапазона fВ; параметр f1 ОУ (граничная частота) должна быть больше или равна fВ. Таких ОУ может быть несколько. Из этих ОУ следует выбрать тот (или те), которые удовлетворяют дополнительному условию выбора (по величинам UСМ, КосСФ и д.р.).
    Дано
    Таблица 2





    № вар.







    Тип
    транзистора. Напряжение источника питания,
    ЕК В Амплитуда входного тока следующего транзистора, мА Входное сопротивление следующего транзистора, Ом Сопротивление делителя напряжения смещения следующего транзистора, RД1 СЛ, Ом Сопротивление делителя напряжения смещения следующего транзистора, RД2 СЛ, Ом Низшая частота рабочего диапазона, Гц Допустимый коэффициент частотных искажений МН, дБ
    7 МП42Б 8 0,2 490 12000 8200 50 0,7

    Внесем в таблицу предлагаемой формы данные транзистора, заданного по условию из таблицы 3.

    Тип
    транзистора Структура h21 min h21 max UКЭ max,
    В IК max, мА FН,
    МГц
    МП42Б p-n-p 45 100 15 200 1,0
    Задание 5.

    Рассчитайте резисторный каскад предварительного усиления на биполярном транзисторе, работающим на входную цепь следующего каскада. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером и должен иметь эмиттерную стабилизацию точки покоя. Развязывающий фильтр (СФ, RФ) отсутствует. Питание цепей смещения и коллекторных цепей осуществляются от общего источника. Данные для расчета приведены в таблице 2.
    Задание 6.
    6.1 Приведите структурную схему усилителя с последовательной отрицательной обратной связью по току, иначе называемой последовательной по входу и по выходу (Z-связь).
    6.2 Поясните, как в вышеуказанной схеме отрицательная обратная связь изменит входное сопротивление усилителя.
    6.3 Дайте определение понятий положительной и отрицательной обратной связи.
    Список литературы

    1. Синдеев Ю.Г. Электротехника с основами электроники, - Ростов н/Д.: Феникс, 2009.
    2. Прянишников В.А. Электроника,– СПб: Питер, 2009.
    3. Бобровников Л.З. Электроника, - СПб: Питер, 2009,2004.
    4. Гальперин М.В. Электронная техника, - М.:ФОРУМ: ИНФРА-М, 2007,
    2003.
logo

Другие работы