Контрольная Электроника, 2 задачи, номер: 252076

Задача №1

По заданному при комнатной температуре значению тока I0=9•10-6 А в идеальном несимметричном p+-n переходе, площадью S=0,1 см2.

Определить :

1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.
2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе.
3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.
4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесённой в область эмиттера.
5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур:
t1 – комнатная, t2=t1+Δt
6. L – ширину обеднённой области или p-n перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n – переходов. Изобразить заданный p-n переход.
7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а так же для всей системы в состоянии равновесия.
8. Приложить к заданному p-n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1 (см п.5). Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ
9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении.
10. Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар. и диффузной Сдиф. емкостей.
11. Рассчитать R0 сопротивление постоянному току и rдиф. переменному току на прямой ветви в точке, соответствующей Iпр=10 мА, и обратной ветви в точке, соответствующей U= 1 В. По результатам расчета сделать вывод о самом важном свойстве p-n – перехода.
12. Начертить малосигнальную электрическую модель заданного p-n – перехода для двух точек (из п.11)
Задача №2

Задана полупроводниковая структура, в которой управление током в канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля.
Канал – приповерхностный, U*=Uпор=0,5 В, b1=0,12 мА/в2.

1. Определить тип канала (p или n)
2. Нарисовать, заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3. Рассчитать и построить на одном графике стоко-затворные ВАХ в режиме
насыщения для двух значений длин канала L - L1, соответствующей заданной
в таблице удельной крутизне b1 и L2=2L1. Сделать вывод о влиянии
управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4. Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе
для двух, заданных в п.3 значений L.
5. Для трёх самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1)
Список используемой литературы

1. Методические указания и контрольные задания по дисциплине физические основы электроники. Москва 2007.
2. А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Томск 2009
3. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника — М., Высшая школа, 1991
4. Л.В. Ушакова. Электронная техника. Учебное пособие. М.:2000;