Контрольная Электроника, 4 задачи, номер: 175732

"
Номер варианта: 10
Номера контрольных заданий: 4а, 9а, 14а, 25а

4 а. Примесный полупроводник n-типа имеет концентрацию собственных носителей ni ( см-3 ) при температуре 300 К. Известно, что концентрация электронов в зоне проводимости n = X ND , где ND - концентрация донорной примеси. Определить отношение ND / ni , а также концентрацию основных ( n ) и неосновных ( p ) носителей, если дано:
а)
ni = 4 ? 1010 см-3
X = 1.005




9 а. Определить диффузионную длину носителей заряда, если их избыточная концентрация на расстоянии X1 (мм) от точки генерации равна ? n1 ( см-3 ), а на расстоянии X2 (мм), соответственно, ? n2 ( см-3 ).
а)
X1 = 2 мм
X2 = 4.3 мм
? n1 = 1 ? 1014 см-3
? n2 = 1 ? 1013 см-3





14 а. Сравнить концентрации электронов в собственном германии и кремнии при температурах T1 и T2 . Считать, что эффективные плотности состояний Nc и Nv не зависят от температуры. Ширину запрещенной зоны в германии и кремнии принять равной 0.7 и 1.1 эВ, соответственно. Вычислить значения удельных проводимостей при указанных температурах. Удельное сопротивление чистых образцов при комнатной температуре 290 К принять равными 0.5 и 1000 Ом?м, соответственно.
а)
T1 = 50 ° C
T2 = 100 ° C


25 а. Вычислите эффективность эмиттера, коэффициент переноса и коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером для транзистора n-p-n с однородной базой, имеющего следующие параметры: концентрации примесей ( Nd и Na ), толщина базы ( Wб ), соотношение коэффициентов диффузии дырок и электронов ( Dp = 0.5 Dn ), диффузионные длины носителей ( Lp и Ln ).
а)
Nd = 1 ? 1018 см-3
Na = 1 ? 1016 см-3
W = 0.5 мкм
Lp = 1 мкм
Ln = 10 мкм


"